ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک

اطلاعات ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک را از ما بخواهید

حافظه‌ی نسل دوم ۱۰ نانومتری DDR4 جدید سامسونگ با توجه به استفاده از یک چیپ هشت گیگابیتی DRAM - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - و ابعاد کوچک، دارای بالاترین کارایی و بهره‌وری انرژی است. این حافظه به‌منظور استفاده در طیف گسترده‌ای از سیستم‌های محاسباتی نسل بعد طراحی شده است. کلاس ۱۰ نانومتر، نشان‌دهنده‌ی بخشی از فناوری پردازش بین ۱۰ تا ۱۹ نانومتر است. سامسونگ اولین بار حافظه‌ی ۱۰ نانومتری DRAM خود را در فوریه ۲۰۱۶ عرضه کرد.

هم اکنون برای ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک اقدام کنید

ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک مخصوص شما

جیویانگ جیم رئیس بخش بازرگانی حافظه در شرکت سامسونگ، می‌گوید:

ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک برای اطلاعات بیشتر کلیک کنید

با توسعه‌ی فناوری‌های نوین در طراحی و پردازش DRAM، یکی از موانع اصلی مقیاس‌پذیری آن برداشته شده است. همچنین به‌منظور پاسخگویی به تقاضای بالای بازار - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - و ادامه‌ی تقویت رقابت تجاری خود، تولید حافظه‌ی نسل دوم ۱۰ نانومتری DRAM را از طریق راه‌اندازی سریع خط تولید، به‌سرعت افزایش - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - می‌دهیم.

نیاز به ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک دارید؟ کلیک کنید

بهره‌وری حافظه‌ی جدید ۱۰ نانومتری DDR4 سامسونگ حدود ۳۰ درصد از نسل قبلی بیشتر است. به‌علاوه سطح - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - عملکرد و بهره‌وری انرژی این پردازنده نیز به‌دلیل استفاده از فناوری‌های پیشرفته و مدار اختصاصی طراحی‌شده، به‌ ترتیب ۱۰ و ۱۵ درصد ارتقاء یافته است. همچنین حافظه‌ی هشت گیگابیتی DDR4 جدید می‌تواند با ۳۶۰۰ مگابیت بر ثانیه در هر - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - پین عمل کند که در مقایسه با ۳۲۰۰ مگابیت بر ثانیه در  حافظه‌ی نسل، قبل افزایش داشته است.

مناسبترین خدمات ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک را از ما بخواهید

برای دستیابی به این دستاوردها؛ سامسونگ به‌جای استفاده از فرآیند EUV (اشعه‌ فرابنفش)، از فناوری‌های جدید استفاده کرده است، که شامل استفاده از یک سیستم سنجش داده‌های سلولی با حساسیت بالا و طرح ایراسپیسر (Air spacer) پیشرفته است.

آخرین قیمت های ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک

در سلول‌های نسل دوم حافظه‌ی ۱۰ نانومتری - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - DRAM، سیستم جدید سنجش داده‌ها قادر است میزان داده‌ی ذخیره‌شده در هر سلول را به‌طور دقیق تعیین کند که این موضوع سبب افزایش قابل توجه یکپارچگی مدار و بهره‌وری تولید می‌شود.

ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک برای شما در کمترین زمان

آیا درباره ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک سوال دارید؟ از ما بپرسید

حافظه‌ی ۱۰ نانومتری جدید همچنین از یک ایر - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - اسپیسر - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - منحصربه‌فرد بهره می‌برد که در اطراف خطوط بیت قرار گرفته - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - است تا به‌طور چشم‌گیری باعث کاهش پارازیت ظرفیت خازنی شود. پارازیت ظرفیت خازنی، یک ظرفیت خازنی ناخواسته است که بین قسمت‌های مدار الکتریکی یا بخش الکتریکی به‌ دلیل مجاورت آن‌ها با یکدیگر به‌ وجود می‌آید. زمانی که دو رسانای الکتریکی در ولتاژهای مختلف بیش از حد به یکدیگر نزدیک هستند، - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - تحت تأثیر - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - میدان الکتریکی یکدیگر قرار می‌گیرند و بار الکتریکی مخالف را مانند آن‌هایی که توسط خازن تولید شده‌ است ذخیره می‌کنند. استفاده از ایر اسپیسر نه‌تنها باعث مقیاس‌گذاری - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - در سطح بالا می‌‌شود بلکه سرعت عمل سلول را نیز افزایش می‌دهد.

ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک

با - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - این پیشرفت‌ها - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - به‌ نظر می‌رسد سامسونگ در حال شتاب دادن برنامه‌های خود برای معرفی هر‌چه سریع‌تر سیستم‌ها و چیپ‌های نسل بعد شامل DDR5، HBM3، LPDDR5 و - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - GDDR6 است که می‌توان از آن‌ها در سرورهای سازمانی، دستگاه‌های تلفن همراه، ابررایانه‌ها، سیستم‌های HPC و کارت‌های گرافیک سرعت بالا استفاده کرد.

اطلاعات بیشتر در مورد ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک اینجا است

سامسونگ قرارداد همکاری با شرکت‌های سازنده‌ی پردازشگر برای ساخت ماژول ۱۰ نانومتری DDR4 نسل دوم خود را نهایی کرده است و در مرحله‌ی بعد در نظر دارد با مشتریان بخش IT (فناوری اطلاعات) برای توسعه‌ی سیستم‌های محاسباتی کارآمدتر نسل بعد - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - همکاری کند.

ارائه خدمات ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک با ارزانترین قیمت

علاوه بر این، سامسونگ به‌عنوان رهبر تولید DRAM، نه‌تنها انتظار دارد به‌سرعت حجم تولید حافظه‌ی ۱۰ نانومتری نسل دوم را در خطوط تولید افزایش دهد؛ بلکه در نظر دارد این میزان تولید بیش از حافظه‌ی - ثبت دامنه انگلستان بدون هاست اراک - ۱۰ نانومتری نسل اول باشد که این موضوع سبب رشد تقاضای DRAM برای استفاده در سیستم‌های الکترونیکی پیشرفته در جهان است.